西門子法生產多晶硅工藝設計改良探討范文

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摘要：近年來，人們不斷深入研究并開發太陽能資源，對原材料的需求也在不斷提高，從而促進了多晶硅行業的發展。通過改進并創新多晶硅生產工藝技術，使多晶硅生產過程中不但提升了生產的效率和質量，同時還降低了一定量的成本。因此，改良西門子法成為目前生產多晶硅技術中最成熟、擴展速度最快、應用最廣泛的技術。本文對改良西門子法生產多晶硅過程中各個程序進行分析，希望能為眾多工業行業生產人員提供一定的幫助。

關鍵詞：西門子法；多晶硅生產工藝；設計

改良多晶硅不僅是硅拋光片、太陽能電池和高純硅制品制作所需的必要原料，同時，還是信息和新能源產業正常運作的基礎保障。現階段中，多晶硅通常以冶金法、流化床法、鋅還原法、氣液沉積法和改良西門子法生產。而改良西門子法對成本的需求很低，能夠生產出高質量多晶硅，不僅消耗的能源少，還沒有污染，因此，大部分工廠都以該方法生產多晶硅。

1改良西門子法介紹

該方法是采用H和Cl完成HCl的合成，并以特定溫度為基礎使HCl和工業硅粉完成SiHCl3的合成，并在分離SiHCl3后進行精餾和提純，對SiHCl3提純后可以在氫還原爐內完成CVN反應從而得到高純度多硅晶。該方法主要包含還原爐尾氣封閉式干法回收技術、導熱油循環冷卻還原爐技術、大直徑對棒節能型還原爐技術以及副產品SiCl4氫化生成SiHCl3技術。相對于傳統的西門子法，改良西門子法具有以下幾個優點:1．1節能該方法主要采用的還原爐為大直徑對棒和導熱油循環冷卻，因此能夠很大程度降低還原爐的電能消耗。

1．2降低物耗

改良西門子法能夠有效的回收還原尾氣。還原尾氣是從還原爐中排放出的反應后的混合氣體。改良西門子法能夠對尾氣中包含的所有組分進行全部回收并在此利用，因此能夠使消耗的原料很大程度的降低。

1．3減少污染

相對于傳統西門子法，該方法是閉路循環操作的，能夠對多晶硅生產所需物料充分利用，很少有廢料生成，因此能夠將產生的污染有效的減少。

2改良西門子法生產多晶硅工藝流程該方法的流程

具體如下:制備H2并純化、合成HCl、分離氯硅烷并提純、合成氣干法分離、合成Si-HCl3、SiCl4氫化、SiHCl3氫還原、還原尾氣干法分離、處理廢氣和殘液、制備硅芯等。

2．1氯硅烷分離提純

在SiHCl3合成工序生成，將通過合成氣干法分離工序得到的氯硅烷液體送入貯存氯硅烷工序的原料氯硅烷貯槽;在SiHCl3還原工序生成，通過還原尾氣干法分離工序得到的氯硅烷液體送入貯存氯硅烷工序的還原氯硅烷貯槽;在SiCl4氫化工序生成［1］，通過氫化氣干法分離工序分離得到的氯硅烷液體送入貯存氯硅烷工序的氫化氯硅烷貯槽。采用泵分別抽出原料氯硅烷液體、還原氯硅烷液體和氫化氯硅烷液體，并送入氯硅烷分離提純工序的不同精餾塔中。

2．2SiHCl3合成

在硅粉下料斗中加入原料硅粉，并使硅粉經過接收料斗到達中間料斗，借助熱HCl氣體置換料斗內的氣體，使其壓力與下方料斗平衡，便于硅粉傳入下方供應料斗。隨后，借助料斗底部的星型供料機將硅粉送入SiHCl3合成爐進料管。將通過HCl合成工序得到的HCl氣體、通過循環HCl緩沖罐得到的HCl氣體混合，然后引入SiHCl3合成爐進料管，挾帶并輸送來自于硅粉供應料斗送入管內的硅粉，并從底部進入SiHCl3合成爐。硅粉與HCl氣體在SiHCl3合成爐內能夠反應并形成沸騰床，生成SiHCl3的同時還有H2、SiCl4、聚氯硅烷、金屬氯化物和三氯二氫硅等產物，該混合氣體被稱作SiHCl3合成氣，該反應能放出大量熱能。在合成爐外壁裝有水夾套［2］，能夠通過夾套內的水分將熱量帶走一部分并使爐壁的溫度維持在需要的程度。以三級旋風除塵器將來自于爐頂部氣體中的硅粉去除一部分，然后以SiCl4液體洗滌取出氣體溫表部分細小硅塵。洗滌過程中，將濕H2通入，氣體中部分金屬氧化物與之接觸后會發生水解反應從而消除。將除掉硅粉后的混合氣體凈化后送入合成氣干法分離中。SiHCl3合成爐內的主要反應如下:主反應:Si+3HCl幑幐SiHCl3+H2Si+4HCl幑幐SiCl4+2H2副反應:2SiHCl幑幐3SiH2Cl2+SiCl42Si+6HCl幑幐Si2Cl6+3H22Si+5HCl幑幐Si2HCl5+2H2

2．3SiHCl3氫還原

對SiHCl4分離提純后，將得到的SiHCl3送入Si-HCl3汽化器，以熱水對其加熱并使其汽化;將來自于還原尾氣干法分離的循環H2放入H2緩沖罐后，在汽化器內結合SiHCl3蒸汽，得到的混合氣體具有固定的比例。在還原爐內放入H2以及從SiHCl3汽化器得到的SiHCl3，將還原爐內熾熱硅芯或硅棒的表面通電，使SiHCl3借助氫化還原反應硅沉積，從而使硅芯或硅棒的直徑增大。氫還原反應同時生成SiH2Cl2、SiCl4、氯化氫和氫氣，與未反應的SiHCl3和氫氣一起送出還原爐，經還原尾氣冷卻器用循環冷卻水冷卻后，直接送往還原尾氣干法分離工序。

2．4改良精餾工藝流程

為了降低SiHCl3的雜質含量，提高SiHCl3純度，需要改進三塔精餾工藝的流程。結合改良西門子法工藝特點，改進后對SiHCl3的精餾設計四臺精餾塔，既可以將氯化裝置的粗SiHCl3提純又能將氫還原尾氣內分離出的SiHCl3提純，滿足多晶硅生產的要求。一塔將SiHCl3初步提純，分離SiHCl3與SiCl4、PCl3;二塔將SiHCl3與PCl3、SiH2Cl2初步分離;三塔將SiCl4內的高沸物分離出來［3］，將純度高的SiCl4送至氯化裝置進行再利用;四塔將二塔餾出物SiHCl3和還原尾氣內分離出來的SiHCl3與SiH2Cl2混合物再次精餾。

2．5還原尾氣干法分離工序

將SiHCl3合成工序和合成氣干法分離工序產生的氣體通過噴淋洗滌塔，使用低溫SiHCl4液體促使塔頂氣通入HCl吸收塔，塔底SiHCl4降低一定程度溫度后回到噴淋洗滌塔對合成氣再次洗滌，余下部分送入HCl解析塔。在HCl吸收塔中，HCl解析塔底部的SiHCl4液體在冷凍降溫后與來自于噴淋洗滌塔頂的塔頂氣發生交換反應，交換后氣相去變壓吸附裝置制得純氫，氯硅烷液體送入氯化氫解析塔。在HCl解析塔中，HCl吸收塔底來的SiHCl4與噴淋洗滌塔底來的SiHCl4進入HCl解析塔進行減壓蒸餾。塔頂氯化氫氣體送入SiHCl3合成工序，塔底氯硅烷液體大部分送往氯化氫吸收塔，剩余部分送往原料氯硅烷儲槽。

3結語

現階段中改良西門子法是大部分工廠生產多晶硅時選用的技術。在對多晶硅項目進行設計時，應以自力更生為基礎幫助自主知識產權的形成，積極汲取國外先進的技術，并適當引進先進設備，通過不斷探究和思考，便于多晶硅行業得到更好的發展。

參考文獻

［1］曹勝軍．多晶硅生產工藝現狀及改良西門子法工藝流程［J］．化工管理，2016，(20):276．

［2］劉剛，秦榕，劉生章等．改良西門子法生產多晶硅精餾工藝的改進［J］．有色金屬(冶煉部分)，2013，(09):56～59．

［3］郭丹，王恩俊，武錦濤等．改良西門子法多晶硅生產工藝關鍵設備［J］．當代化工，2013，(07):912～916,966.

作者：楊凱；施晨鵬 單位：新疆西部合盛硅業有限公司