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《電子器件雜志》2014年第三期
1電源完整性仿真參數(shù)的分析
1.1直流參數(shù)在PCB設(shè)計中,由于平面層的分割,不理想的電流路徑和各種過孔、信號線的分布,PDN的直流特性將受到影響,表現(xiàn)為PDN的輸入電阻以及電流密度增大,而輸入電阻過大將導(dǎo)致電源平面電壓的降低,所以對電源平面直流電壓分布的仿真有利于改善PDN的輸入電阻;而電流密度過大一方面會增加PDN輸入電阻上的壓降,另一方面會降低元件壽命,所以對電源平面直流電流分布的仿真也有利于改善PDN的直流特性。
1.2交流參數(shù)地層和相鄰的電源層形成波導(dǎo)結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)會產(chǎn)生諧振模式,在諧振模式處電源平面電壓將發(fā)生較大波動,通過在電壓波動最大的地方放置合適的去耦電容,可以消除該諧振模式,所以對電源平面諧振分布的仿真有利于改善PDN的交流特性。而目標(biāo)阻抗法是PDN的典型設(shè)計方法,當(dāng)PDN的輸入阻抗小于目標(biāo)阻抗時,電壓波動就會小于電源噪聲容限,所以對PDN的輸入阻抗進(jìn)行仿真,通過減小PDN的輸入阻抗也可以改善PDN的交流特性。
2電源完整性仿真分析
2.1仿真軟件介紹AnsoftSIwave采用全波有限元算法,對于信號完整性和電源完整性分析,SIwave可以準(zhǔn)確分析從直流到10GHz帶寬的電氣參數(shù)。通過全波電磁算法直接抽取走線和電源網(wǎng)絡(luò)的變頻電氣參數(shù),可以容易定位SI、PI和EMI的問題所在。
2.2直流參數(shù)仿真分析(1)進(jìn)行直流電壓分布的仿真,調(diào)整前電源平面直流電壓分布如圖4所示,發(fā)現(xiàn)1.2V電源平面電壓偏低,需要調(diào)整布局布線,即通過減小布線的長度、加粗布線的寬度、增加到電源平面的路徑等措施降低1.2VPDN的輸入電阻,調(diào)整后電源平面直流電壓分布如圖5所示,調(diào)整前后直流電壓分布的仿真結(jié)果如表1所示,可見1.2V電源平面直流電壓分布得到改善。(2)進(jìn)行直流電流分布的仿真,調(diào)整前電源平面直流電流分布如圖6所示,橙色部分電流密度偏大,需要調(diào)整布局布線,即通過敷銅增加和分散VRM到電源平面的過孔,使注入電流平均分?jǐn)偟诫娫雌矫嫔希部蓪㈦娏髅芗瘏^(qū)的過孔移至電流稀疏區(qū)以增加載流截面積,調(diào)整后電源平面直流電流分布如圖7所示,調(diào)整前后直流電流分布的仿真結(jié)果如表2所示。
2.3交流參數(shù)仿真分析(1)進(jìn)行諧振分布的仿真,發(fā)現(xiàn)電源地平面之間存在398.6MHz的諧振模式,對應(yīng)的諧振分布如圖8所示,圖中上半?yún)^(qū)域為3.3V電源平面,處于諧振的波峰位置,如果諧振被激發(fā),將會影響CPU的正常工作,需要設(shè)計低阻抗的PDN去耦網(wǎng)絡(luò)來消除這個諧振模式。(2)進(jìn)行PDN的輸入阻抗仿真,CPU的3.3V引腳允許的電壓波動為0.3V,CPU最大工作電流約為1A,計算得到3.3VPDN的目標(biāo)阻抗為0.6Ω,CPU最大工作頻率為667MHz,所以3.3VPDN的輸入阻抗在667MHz內(nèi)應(yīng)小于0.6Ω,3.3VPDN的輸入阻抗如圖10所示。圖10中上面曲線為調(diào)整前3.3VPDN的Z參數(shù)曲線,在165.8MHz開始輸入阻抗大于0.6Ω,極大點(diǎn)397MHz、467.3MHz為3.3VPDN的諧振頻率,放置相應(yīng)諧振頻率的電容以降低3.3VPDN的輸入阻抗,選取電容如下:0.33nF、0.39nF、0.82nF、1.8nF、3.9nF、1μF,圖10中下面曲線為調(diào)整后3.3VPDN的Z參數(shù)曲線,在929.6MHz內(nèi)輸入阻抗都小于0.6Ω。3.3VPDN的輸入阻抗?jié)M足要求,且不存在諧振頻率,如表3所示。放置電容后電源平面諧振分布如圖9所示,整個電源平面的電壓波動已符合要求。
3結(jié)束語
在高速電路設(shè)計中SSN對電源完整性影響很大,必須采取有效措施減弱SSN對芯片電源電壓和信號線電壓帶來的影響。對于arm11核心板,通過減小布線的長度、加粗布線的寬度、增加到電源平面的路徑等措施,電源平面直流電壓分布得到改善;通過敷銅增加和分散VRM到電源平面的過孔,以及將電流密集區(qū)的過孔移至電流稀疏區(qū)以增加載流截面積,電源平面的直流電流分布得到改善;運(yùn)用目標(biāo)阻抗法,在電壓波動最大的地方放置合適的去耦電容,削弱了電源地平面之間的諧振,使得整個電源平面的電壓波動符合要求。文章的不足之處是沒有深入研究去耦電容的選取方法,在今后的學(xué)習(xí)工作中仍需繼續(xù)探究。
作者:沈敏吳明贊李竹單位:南京理工大學(xué)自動化學(xué)院