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1.1基本原理LVDS驅動線路可以有多種結構,常見的包括單電源模式、雙電流電源和電壓模式。單電流源模式需要較大的電阻,如果采用傳輸邏輯實現電壓驅動,需要復雜的電路對電壓進行修正。因此在設計中可以選擇雙電流源模式進行驅動。電路如圖:雙電流源模式的電阻需求較小,可以方便的提供恒定電流,相對穩定。雙電流源模式,對PMOS管以及NMOS管進行分別設置,形成兩個電流鏡(M1、M2、M3、M4)。通過適當的調節可以保證電流輸出穩定在3.5mA。M2和M4、R組成偏置電路產生偏置電流,然后通過電流鏡映射到M1和M3端,為驅動電路提供電流。如果in1是高電平則M5、M8導通,M6、M7阻斷。電流從M5通過,從out1輸出,經過電阻控制后再從out2輸入,進入M8后經過M3,形成一個回路。這樣驅動電路輸出端out1和out2上的電流相反,形成一個差分信號。
1.2電路模型構建和分析按照前面的分析,M2和M4提供偏置電流,如果要保證電流經過電阻R的電流與偏置電流一致,并控制其參數,根據電流鏡的原理,只需要對M1的寬度進行調整,設置為M2的3.5倍。如果此時Ir=1則驅動電路工作電流為3.5mA。同時設定電阻R=200Ω,并確定M2和M4寬長比一致,設定二者漏極電流就可獲得其相對應的電壓。為了獲得穩定的工作電流3.5mA,設計要求M1和M3的漏極電流為3.5mA。根據電流鏡的工作原理,可以得到各個關鍵位置的基本參數。獲得相關的M2和M4的比值。在電路輸出后,為了保證反轉時性能的穩定,M5-M8管應保持參數一致。所以計算其中一個即可獲得其他的參數。在電流導通的時候M5是非飽和狀態,因此在輸出時LVDS的高電壓為1.25V,同時電流源的電流為3.5mA,所以MOS開關啟動的時候,漏流為3.5mA,而Vds則很小,為100mA。經過計算可以得到M5的寬長比。實際中往往取值較大,因為這樣可以減少溝道電阻,加快電平的轉換速度。通過仿真可以對LVDS的驅動器進行修正,最終獲得各個MOS管的尺寸、電阻和電容等,提高電路的性能。
2LVDS接受設計
在設計中電路的核心部分是接受電路,電路圖如下,in1和in2為LVDS輸入信號,經過運算和放大后,經由反向器輸出。按照電流鏡的基本原理其中M3和M4的參數一致。此時Id3為主導,Id4隨其發生改變,且二者相等。如果in1和in2相同,此時Id1=Id2;Id3=Id4.從而Id4=Id1=Id2,Iout為零。如果輸入的差分信號為共模則電流為零。如果輸入信號中in1大于in2則PMOS將發揮作用,此時電流只能從out端流出,而Iout大于零。相反則出現Iout小于零的情況,輸入的LVDS信號直接會導致Iout的改變。按照差分放大器的各種性能要求,利用相關公式即可獲得相關技術參數,各個點位的電壓和電流,如圖2中所示。
3結束語
按照上述分析,對電路進行仿真,從仿真結果來看,電路的設計達到了預期的要求。
作者:余羅單位:電子科技大學